ban2

army2024

imc

ban3

termoob2024

sp tr expo2023

Mining-Tajikistan-logo-200х200-RU 2

Teplor

ban2

banrbr

banrp

elrus 2024

biot expo2024

 

 

Востребованная продукция АО «ФЗМТ»

01Основная специализация АО «ФЗМТ» - выпуск ЭКБ межвидового применения для силовой электроники с приемкой качества ВП в интересах предприятий оборонно-промышленного комплекса страны для военной, космической, авиационной техники, ядерной энергетики, транспорта, специальной связи, РЭБ, электронной защиты информации.

В свете выполнения плана перспективного развития предприятия в рамках научно-производственной деятельности акционерное общество за счет собственных средств проводит разработку и серийное освоение современной ЭКБ для силовой электроники.

В номенклатуре выпускаемой АО «ФЗМТ» продукции - мощные биполярные транзисторы, в том числе и транзисторы Дарлингтона, полевые транзисторы, биполярные транзисторы с изолированным затвором, диоды Шоттки и диодные сборки на их основе, высоковольтные выпрямительные диоды и диодные сборки на их основе, высоковольтные быстрые импульсные диоды и диодные сборки на их основе.

Наши приборы применяются буквально во всех отраслях промышленности.

Все, что мы производим, необходимо нашим отечественным предприятиям, и наша продукция широко востребована. В портфеле заказов общества договоры со многими контрагентами, выполняющими ГОЗ в период проведения СВО.

Мы поставляем продукцию более чем 300 предприятиям. Наши деловые партнеры - смежники, работающие в сфере ГОЗ и входящие в крупные корпорации.

В настоящее время АО «ФЗМТ» обладает всем необходимым специальным технологическим, контрольно-измерительным, испытательным и метрологическим оборудованием, средствами проектирования и производственными мощностями для серийного выпуска продукции необходимого качества и освоения новой продукции. Это дает возможность успешно разрабатывать ЭКБ для силовой электроники, корпуса для мощных транзисторов и диодов, контрольно-измерительное, испытательное оборудование и оснастку своими силами.

Последние три года для АО «ФЗМТ» стали прорывными. Обществом разработаны и серийно освоены 6 типономиналов мощных полевых транзисторов в расширении серии 2П7160 и 4 типономинала мощных биполярные транзисторы с изолированным затвором в расширении серии 2Е802.

АО «ФЗМТ» серийно выпускает транзисторы 2Т827А,Б,В аА0.339.119ТУ в корпусах типа КТ-9. Корпус КТ-9 разработан более 40 лет и по своим массогабаритным параметрам морально устарел.

В связи с этим, было принято решение провести работу по разработке транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97В с улучшением некоторых параметров.

Основные параметры корпусов КТ-9, КТ-97В приведены в таблице 1.

Таблица 1. Основные показатели корпусов КТ-9, КТ-97В

Тип корпуса, год разработки

Масса,

г

Площадь монтажа, см2

Объем,

см3

Покрытие

Внешний

вид

КТ-9, 1978 г.

20,1

10,2

21,7

Никель

 

КТ-97, 2007 г.

8,5

5,2

3,4

Золото, никель

 

В 2023 году общество успешно освоило транзисторы Дарлингтона 2Т827Г1, 2Т827Д1 на напряжение UКЭmax  ≥ 250 В с покрытием корпусов золотом и никелем и транзисторы 2Т827А1, 2Т827А2 на напряжение UКЭmax  ≥ 100 В с покрытием корпусов золотом и никелем соответственно.

Новые транзисторы серии 2Т827 имеют улучшенные массогабаритные показатели, увеличенную гарантийную наработку и сниженную максимальную температуру кристалла с 200 °С до 175 °С.

Значения электрических параметров и теплового сопротивления транзисторов при приемке и поставке приведены в таблице 2.

Таблица2. Значения электрических параметров и теплового сопротивления транзисторов при приемке и поставке

Наименование параметра,

единица измерения

(режим измерения)

Буквенное

обозначение

Норма

Температура

среды,

корпуса*, °С

не

менее

не

более

Статический коэффициент усиления

по току (IК = 10 А, UКЭ = 3 В)

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В

2Т827А1, 2Т827А2, 2Т827Г1, 2Т827Д1

h21э

 

 

750

1000

 

 

18000

15000

25±10

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В

2Т827А1, 2Т827А2, 2Т827Г1, 2Т827Д1

750

1000

-

-

125±5

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В

2Т827А1, 2Т827А2, 2Т827Г1, 2Т827Д1

100

100

-

-

– (60±3)

Статический коэффициент усиления

по току (IК = 20 А, UКЭ = 3 В)

h21э

100

-

25±10

Обратный ток коллектор-эмиттер, мА

(UКЭmax, В, RБЭ = 1,0 кОм)

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В

2Т827А1, 2Т827А2, 2Т827Г1, 2Т827Д1

IКЭR

 

 

-

-

 

 

1,0

0,3

 

 

25±10

 

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В

2Т827А1, 2Т827А2, 2Т827Г1, 2Т827Д1

-

-

2,0

1,0

125±5

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В

2Т827А1, 2Т827А2, 2Т827Г1**, 2Т827Д1**

-

-

1,0

0,3

– (60±3)

Обратный ток эмиттера, мА

(UЭБО = 5 В, IК = 0)

IЭБО

 

2,0

25±10

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В (IК = 10 А, IБ = 0,05 А)

 

UКЭ нас

 

-

 

1,5

25±10

Напряжение насыщения база-эмиттер, В

(IК = 10 А, IБ = 0,05 А)

UБЭ нас

-

2,5

25±10

Граничное напряжение, В

(Lк = 25 мГн, IК нас ≥ 0,8 А, IК изм = 0,5 А,

RБЭ = ∞)

2Т827А, 2Т827А1, 2Т827А2

2Т827Б

2Т827В

2Т827Г1, 2Т827Д1

UКЭО гр

 

 

 

100

80

60

125

 

 

 

-

-

-

-

25±10

Время рассасывания, мкс

(LК = 4,5 мГн, IК =10 А, IБ нас = 0,1 А,

UББ/RББ = -5 В/10 Ом, UКЭ огр = 70 В

для 2Т827А, 2Т827А1, 2Т827А2,

2Т827Г1, 2Т827Д1,

UКЭ огр = 50 В для 2Т827Б, 2Т827В)

τрас

-

2,5

25±10

Время спада, мкс

(LК = 4,5 мГн, IК =10 А, IБ нас = 0,1 А,

UББ/RББ = -5 В/10 Ом, UКЭ огр = 70 В для 2Т827А, 2Т827Г1, 2Т827Д1,

UКЭ огр = 50 В для 2Т827Б, 2Т827В)

τсп

-

1,0

25±10

Тепловое сопротивление

переход-корпус, °С/Вт

RТ п-к

-

1,2

-

* Температура корпуса (125±5) °С.

** Для транзисторов 2Т827Г1, 2Т827Д1 UКЭmax = 220 В.

Предельно допустимые значения параметров электрических режимов эксплуатации транзисторов в диапазоне рабочих температур приведены в таблице 3.

Таблица3. Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации транзисторов в диапазоне температур от минус 60 °С до + 125 °С

Наименование параметра, единица измерения

(режим измерения)

Буквенное

обозначение

Норма

Приме-

чание

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В

 

UЭБ mах

8,0

 

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В

2Т827А, 2Т827А1, 2Т827А2

2Т827Б

2Т827В

2Т827Г1, 2Т827Д1

 

UКБ mах

100

80

60

250

 

 

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В (RБЭ = 1,0 кОм)

2Т827А, 2Т827А1, 2Т827А2

2Т827Б

2Т827В

2Т827Г1, 2Т827Д1

 

UКЭR mах

 

 

100

80

60

250

 

 

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер, (RБЭ = 1,0 кОм)

2Т827А, 2Т827А1, 2Т827А2

2Т827Б

2Т827В

2Т827Г1, 2Т827Д1

 

UКЭR, и mах

 

100

80

60

250

 

 

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А

 

IК mах

20

 

Максимально допустимый постоянный ток базы, А

 

IБ mах

0,5

 

Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А, (τи ≤ 1мс)

 

IК, и mах

40

1

Максимально допустимый импульсный ток базы, А,

(τи ≤ 1 мс)

 

IБ, и mах

0,8

1

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт

 

РК mах

125

2

Максимально допустимая температура корпуса, °С

tК mах

125

 

Максимально допустимая температура p-n перехода, °С

 

tП mах

175

 

Примечания

1 В диапазоне температур корпуса от 25 °С до 125 ºС значение параметра определяется длительностью импульса, скважностью и импульсным тепловым сопротивлением.

2 При температуре окружающей среды от минус 60 °С до 25 °С. При температуре корпуса свыше 25 °С рассеиваемая мощность РК mах снижается в соответствии с формулой:

 

где:   - tП mах – максимальная температура перехода;

         - tК – температура корпуса;

               - RТ п-к – тепловое сопротивление переход-корпус.

 

Петр ЛАХИН,
генеральный директор
АО «Фрязинский завод мощных транзисторов»