Востребованная продукция АО «ФЗМТ»
Основная специализация АО «ФЗМТ» - выпуск ЭКБ межвидового применения для силовой электроники с приемкой качества ВП в интересах предприятий оборонно-промышленного комплекса страны для военной, космической, авиационной техники, ядерной энергетики, транспорта, специальной связи, РЭБ, электронной защиты информации.
В свете выполнения плана перспективного развития предприятия в рамках научно-производственной деятельности акционерное общество за счет собственных средств проводит разработку и серийное освоение современной ЭКБ для силовой электроники.
В номенклатуре выпускаемой АО «ФЗМТ» продукции - мощные биполярные транзисторы, в том числе и транзисторы Дарлингтона, полевые транзисторы, биполярные транзисторы с изолированным затвором, диоды Шоттки и диодные сборки на их основе, высоковольтные выпрямительные диоды и диодные сборки на их основе, высоковольтные быстрые импульсные диоды и диодные сборки на их основе.
Наши приборы применяются буквально во всех отраслях промышленности.
Все, что мы производим, необходимо нашим отечественным предприятиям, и наша продукция широко востребована. В портфеле заказов общества договоры со многими контрагентами, выполняющими ГОЗ в период проведения СВО.
Мы поставляем продукцию более чем 300 предприятиям. Наши деловые партнеры - смежники, работающие в сфере ГОЗ и входящие в крупные корпорации.
В настоящее время АО «ФЗМТ» обладает всем необходимым специальным технологическим, контрольно-измерительным, испытательным и метрологическим оборудованием, средствами проектирования и производственными мощностями для серийного выпуска продукции необходимого качества и освоения новой продукции. Это дает возможность успешно разрабатывать ЭКБ для силовой электроники, корпуса для мощных транзисторов и диодов, контрольно-измерительное, испытательное оборудование и оснастку своими силами.
Последние три года для АО «ФЗМТ» стали прорывными. Обществом разработаны и серийно освоены 6 типономиналов мощных полевых транзисторов в расширении серии 2П7160 и 4 типономинала мощных биполярные транзисторы с изолированным затвором в расширении серии 2Е802.
АО «ФЗМТ» серийно выпускает транзисторы 2Т827А,Б,В аА0.339.119ТУ в корпусах типа КТ-9. Корпус КТ-9 разработан более 40 лет и по своим массогабаритным параметрам морально устарел.
В связи с этим, было принято решение провести работу по разработке транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97В с улучшением некоторых параметров.
Основные параметры корпусов КТ-9, КТ-97В приведены в таблице 1.
Таблица 1. Основные показатели корпусов КТ-9, КТ-97В
|
Тип корпуса, год разработки |
Масса, г |
Площадь монтажа, см2 |
Объем, см3 |
Покрытие |
Внешний вид |
|
КТ-9, 1978 г. |
20,1 |
10,2 |
21,7 |
Никель |
|
|
КТ-97, 2007 г. |
8,5 |
5,2 |
3,4 |
Золото, никель |
|
В 2023 году общество успешно освоило транзисторы Дарлингтона 2Т827Г1, 2Т827Д1 на напряжение UКЭmax ≥ 250 В с покрытием корпусов золотом и никелем и транзисторы 2Т827А1, 2Т827А2 на напряжение UКЭmax ≥ 100 В с покрытием корпусов золотом и никелем соответственно.
Новые транзисторы серии 2Т827 имеют улучшенные массогабаритные показатели, увеличенную гарантийную наработку и сниженную максимальную температуру кристалла с 200 °С до 175 °С.
Значения электрических параметров и теплового сопротивления транзисторов при приемке и поставке приведены в таблице 2.
Таблица2. Значения электрических параметров и теплового сопротивления транзисторов при приемке и поставке
|
Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) |
Буквенное обозначение |
Норма |
Температура среды, корпуса*, °С |
|
|
не менее |
не более |
|||
|
Статический коэффициент усиления по току (IК = 10 А, UКЭ = 3 В) 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В 2Т827А1, 2Т827А2, 2Т827Г1, 2Т827Д1 |
h21э |
750 1000 |
18000 15000 |
25±10 |
|
2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В 2Т827А1, 2Т827А2, 2Т827Г1, 2Т827Д1 |
750 1000 |
- - |
125±5 |
|
|
2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В 2Т827А1, 2Т827А2, 2Т827Г1, 2Т827Д1 |
100 100 |
- - |
– (60±3) |
|
|
Статический коэффициент усиления по току (IК = 20 А, UКЭ = 3 В) |
h21э |
100 |
- |
25±10 |
|
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА (UКЭmax, В, RБЭ = 1,0 кОм) 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В 2Т827А1, 2Т827А2, 2Т827Г1, 2Т827Д1 |
IКЭR |
- - |
1,0 0,3 |
25±10
|
|
2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В 2Т827А1, 2Т827А2, 2Т827Г1, 2Т827Д1 |
- - |
2,0 1,0 |
125±5 |
|
|
2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В 2Т827А1, 2Т827А2, 2Т827Г1**, 2Т827Д1** |
- - |
1,0 0,3 |
– (60±3) |
|
|
Обратный ток эмиттера, мА (UЭБО = 5 В, IК = 0) |
IЭБО |
|
2,0 |
25±10 |
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В (IК = 10 А, IБ = 0,05 А)
|
UКЭ нас |
- |
1,5 |
25±10 |
|
Напряжение насыщения база-эмиттер, В (IК = 10 А, IБ = 0,05 А) |
UБЭ нас |
- |
2,5 |
25±10 |
|
Граничное напряжение, В (Lк = 25 мГн, IК нас ≥ 0,8 А, IК изм = 0,5 А, RБЭ = ∞) 2Т827А, 2Т827А1, 2Т827А2 2Т827Б 2Т827В 2Т827Г1, 2Т827Д1 |
UКЭО гр |
100 80 60 125
|
- - - - |
25±10 |
|
Время рассасывания, мкс (LК = 4,5 мГн, IК =10 А, IБ нас = 0,1 А, UББ/RББ = -5 В/10 Ом, UКЭ огр = 70 В для 2Т827А, 2Т827А1, 2Т827А2, 2Т827Г1, 2Т827Д1, UКЭ огр = 50 В для 2Т827Б, 2Т827В) |
τрас |
- |
2,5 |
25±10 |
|
Время спада, мкс (LК = 4,5 мГн, IК =10 А, IБ нас = 0,1 А, UББ/RББ = -5 В/10 Ом, UКЭ огр = 70 В для 2Т827А, 2Т827Г1, 2Т827Д1, UКЭ огр = 50 В для 2Т827Б, 2Т827В) |
τсп |
- |
1,0 |
25±10 |
|
Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт |
RТ п-к |
- |
1,2 |
- |
|
* Температура корпуса (125±5) °С. ** Для транзисторов 2Т827Г1, 2Т827Д1 UКЭmax = 220 В. |
||||
Предельно допустимые значения параметров электрических режимов эксплуатации транзисторов в диапазоне рабочих температур приведены в таблице 3.
Таблица3. Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации транзисторов в диапазоне температур от минус 60 °С до + 125 °С
|
Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) |
Буквенное обозначение |
Норма |
Приме- чание |
||
|
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В
|
UЭБ mах |
8,0 |
|
||
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 2Т827А, 2Т827А1, 2Т827А2 2Т827Б 2Т827В 2Т827Г1, 2Т827Д1 |
UКБ mах |
100 80 60 250 |
|
||
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В (RБЭ = 1,0 кОм) 2Т827А, 2Т827А1, 2Т827А2 2Т827Б 2Т827В 2Т827Г1, 2Т827Д1 |
UКЭR mах |
100 80 60 250 |
|
||
|
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер, (RБЭ = 1,0 кОм) 2Т827А, 2Т827А1, 2Т827А2 2Т827Б 2Т827В 2Т827Г1, 2Т827Д1 |
UКЭR, и mах |
100 80 60 250 |
|
||
|
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А
|
IК mах |
20 |
|
||
|
Максимально допустимый постоянный ток базы, А
|
IБ mах |
0,5 |
|
||
|
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А, (τи ≤ 1мс)
|
IК, и mах |
40 |
1 |
||
|
Максимально допустимый импульсный ток базы, А, (τи ≤ 1 мс)
|
IБ, и mах |
0,8 |
1 |
||
|
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт
|
РК mах |
125 |
2 |
||
|
Максимально допустимая температура корпуса, °С |
tК mах |
125 |
|
||
|
Максимально допустимая температура p-n перехода, °С
|
tП mах |
175 |
|
||
|
Примечания 1 В диапазоне температур корпуса от 25 °С до 125 ºС значение параметра определяется длительностью импульса, скважностью и импульсным тепловым сопротивлением. 2 При температуре окружающей среды от минус 60 °С до 25 °С. При температуре корпуса свыше 25 °С рассеиваемая мощность РК mах снижается в соответствии с формулой:
|
|||||
Петр ЛАХИН,
генеральный директор
АО «Фрязинский завод мощных транзисторов»